Samsung hat angekündigt die Massenproduktion seines V-NAND-Flash-Speichers der 9. Generation, der eine Steigerung von 33 % gegenüber dem V-NAND der 8. Generation bietet.
Samsungs 1 TB TCL V-NAND der 9. Generation beginnt in Massenproduktion, QLC im zweiten Halbjahr 2024 und bietet eine Geschwindigkeitssteigerung von 33 %
Die Ankündigung wurde mehr oder weniger erwartet, da wir vor einigen Wochen über den Beginn der Massenproduktion des V-NAND-Flash der 9. Generation berichteten. Zunächst wird der TCL NAND (in diesem Monat) in Produktion gehen, die QLC-Massenproduktion wird in der zweiten Jahreshälfte erwartet. Es ist auch gemeldet dass der V-NAND der 9. Generation über 290+ Schichten verfügen wird, aber das wurde von Samsung selbst nicht offiziell bestätigt.
Pressemitteilung: Samsung Electronics, der weltweit führende Anbieter fortschrittlicher Speichertechnologie, gab heute bekannt, dass es mit der Massenproduktion seines vertikalen NAND (V-NAND) der 9. Generation mit Triple-Level-Cell (TLC) und einer Kapazität von einem Terabit (Tb) begonnen hat und damit seine Führungsposition in diesem Bereich festigt NAND-Flash-Markt.
Mit der branchenweit kleinsten Zellengröße und der dünnsten Form hat Samsung die Bitdichte des V-NAND der 9. Generation im Vergleich zum V-NAND der 8. Generation um etwa 50 % verbessert. Innovationen wie die Vermeidung von Zellinterferenzen und die Verlängerung der Zelllebensdauer wurden eingesetzt, um die Produktqualität und -zuverlässigkeit zu verbessern, während durch die Eliminierung von Dummy-Kanallöchern die planare Fläche der Speicherzellen erheblich reduziert wurde.
Darüber hinaus unterstreicht die fortschrittliche „Channel Hole Etching“-Technologie von Samsung die führende Stellung des Unternehmens in Bezug auf Prozessfähigkeiten. Diese Technologie schafft Elektronenpfade durch Stapeln von Formschichten und maximiert die Fertigungsproduktivität, da sie das gleichzeitige Bohren der branchenweit höchsten Zellschichtanzahl in einer Doppelstapelstruktur ermöglicht. Mit zunehmender Anzahl von Zellschichten wird die Fähigkeit, höhere Zellzahlen zu durchdringen, immer wichtiger, was ausgefeiltere Ätztechniken erfordert.
Der V-NAND der 9. Generation ist mit der NAND-Flash-Schnittstelle der nächsten Generation „Toggle 5.1“ ausgestattet, die um 33 % höhere Dateneingabe-/-ausgabegeschwindigkeiten auf bis zu 3,2 Gigabit pro Sekunde (Gbit/s) unterstützt. Zusammen mit dieser neuen Schnittstelle plant Samsung, seine Position auf dem Markt für Hochleistungs-SSDs durch die Ausweitung der Unterstützung für PCIe 5.0 zu festigen.
Auch der Stromverbrauch wurde im Vergleich zur Vorgängergeneration durch Fortschritte im stromsparenden Design um 10 % verbessert. Da die Reduzierung des Energieverbrauchs und der CO2-Emissionen für Kunden immer wichtiger wird, wird Samsungs V-NAND der 9. Generation voraussichtlich eine optimale Lösung für zukünftige Anwendungen sein. Samsung hat diesen Monat mit der Massenproduktion des 1-Tb-TLC-V-NAND der 9. Generation begonnen, gefolgt vom Quad-Level-Cell-Modell (QLC) in der zweiten Hälfte dieses Jahres.