Der CEO von Intel zeigte sich zuversichtlich in seinen 18A-Prozess und behauptete, dass er mit dem 2-nm-Knoten von TSMC konkurriert und zudem früher geliefert wird.
Intels 18A-Prozessknoten mit Backside-Power-Delivery und verbesserter Siliziumauslastung liegt Berichten zufolge in Leistung und Bereitstellung vor dem 2-nm-Prozessor von TSMC
Intels CEO Pat Gelsinger setzte sich mit uns zusammen Barrons bei der jüngsten AI Everywhere-Veranstaltung von Team Blue, bei der das Unternehmen seine neuesten Meteor Lake-Prozessoren vorstellte. Im Gespräch mit der Verkaufsstelle gab CEO Gelsinger ein Update zum 18A-Prozess von Intel und behauptete, dass dieser das Potenzial habe, den N2-Knoten (2 nm) von TSMC zu übertreffen, insbesondere nach der Verwendung einer fortschrittlichen Stromversorgungsmethode.
Wir haben zwei wichtige Neuerungen bei 18A angekündigt: einen neuen Transistor und eine Backside-Power. Ich denke, jeder schaut auf den Transistor des N2 von TSMC im Vergleich zu unserem 18A. Es ist nicht klar, ob das eine dramatisch besser ist als das andere. Wir werden sehen, wer der Beste ist.
Aber die Stromversorgung auf der Rückseite, jeder sagt Intel, punktet. Sie sind der Konkurrenz um Jahre voraus. Das ist mächtig. Das ist sinnvoll. Es bietet eine bessere Flächeneffizienz für Silizium, was geringere Kosten bedeutet. Es sorgt für eine bessere Leistungsabgabe, was eine höhere Leistung bedeutet. Ich habe also einen guten Transistor. Ich habe eine großartige Leistungsentfaltung. Ich glaube, ich bin N2, der nächsten Prozesstechnologie von TSMC, ein wenig voraus.
Intels 18A-Prozessknoten wird RibbonFET-Transistoren zusammen mit einer neuen „PowerVia“-Bereitstellungsmethode nutzen, die voraussichtlich erhebliche Leistungszahlen mit sich bringen wird. Es wird offengelegt, dass wir mit 18A gegenüber 20A eine Verbesserung von 10 % von Generation zu Generation feststellen konnten. Es gab Berichte, dass ARM Intels erster Kunde des Verfahrens sein könnte und es für mobile SOCs nutzen möchte, aber das ist derzeit nur ein Gerücht.
Intel Foundry Services, insbesondere mit seiner Halbleitertechnologie, konnte in letzter Zeit keine großen Erfolge bei der Branchenakzeptanz verbuchen. Es scheint jedoch, dass sich die Dinge ändern, insbesondere angesichts der Geschwindigkeit, mit der die Entwicklungen im Lager von Team Blue voranschreiten. Erst kürzlich haben wir über den Status des 20A-Prozesses von Intel berichtet und darüber, wie er bis 2024 auf den Markt kommen soll. Intel 20A wird die Arrow Lake-Client-CPUs antreiben, während 18A eine breite Palette von Lösungen für zukünftige Client-, Rechenzentrums- und Rechenzentrumsanwendungen bieten soll Gießereispäne.
Außerdem listet Intel in einer Präsentation vor japanischen Medien mehrere Knoten über 18A hinaus auf und wir sehen auch die Rückkehr des ikonischen „+“ aus der 14-nm-Ära. Mindestens drei zukünftige Knoten nach 18A werden erwähnt, wobei „Intel Next+“ ausdrücklich die Verwendung der HiNa-EUV-Lithographie erwähnt. Die Produktion auf diesem Knoten sollte nicht vor dem Zeitraum 2025–2026+ erwartet werden.
Die kommenden Halbleitermärkte werden viel dynamischer sein als bisher, wobei Unternehmen wie Samsung Foundry und Intel den Thron erobern werden.
Intel-Prozess-Roadmap
Prozessname | Intel 10 nm SuperFin | Intel 7 | Intel 4 | Intel 3 | Intel 20A | Intel 18A |
---|---|---|---|---|---|---|
Produktion | In großen Stückzahlen (jetzt) | In Volumen (jetzt) | 2H 2022 | 1H 2023 | 1H 2024 | 2H 2024 |
Leistung/Watt (über 10 nm ESF) | N / A | 10-15 % | 20 % | 18 % | >20 %? | TBA |
EUV | N / A | N / A | Ja | Ja | Ja | EUV mit hoher NA |
Transistorarchitektur | FinFET | Optimierter FinFET | Optimierter FinFET | Optimierter FinFET | RibbonFET | Optimierter RibbonFET |
Produkte | Tigersee | Erlensee Raptor-See Saphir-Stromschnellen Smaragd-Stromschnellen Xe-HPG? |
Meteorsee Xe-HPC / Xe-HP? |
Granit-Stromschnellen Sierra-Wald Gießereipartner |
Pfeilsee Diamond Rapids? |
Mondsee Nova-See Diamond Rapids? Gießereipartner |
Nachrichtenquelle: Barrons