ULTRARAM ist eine neue Art von „universellem Speicher“, der die Lebensdauer des Flash-Speichers Ihrer SSD übertreffen und mit den Lese-/Schreibgeschwindigkeiten des Systemspeichers mithalten kann. Aber alles mit einem geringeren Strombedarf. Dies ist sozusagen der heilige Gral des Gedächtnisses und könnte ein echter Game-Changer für die Datenverarbeitung sein. Kein Wunder, dass es gerecht ist gewann eine Auszeichnung beim Flash Memory Summit.
Allerdings muss ich sagen ULTRARAM Fühlt sich ein bisschen auf der Nase an, wenn Sie mich fragen. Aber das Branding ist mir egal, denn die Technologie ist potenziell sehr spannend.
Tatsächlich handelt es sich um eine Art von Speicher, der theoretisch für alle Geräte geeignet ist. Aber es ist zwangsläufig auch ziemlich kompliziert aufgebaut, und in Zeiten wie diesen wünschte ich, ich wäre viel schlauer als ich. Sie hätten … einen Ingenieur schicken sollen.
„Unsere patentierte Speichertechnologie nutzt quantenmechanisches Resonanztunneln“, heißt es auf der ULTRAM-Website, „um eine unübertroffene Kombination aus Geschwindigkeit, Nichtflüchtigkeit, Ausdauer und Energieeffizienz zu bieten.“
Der Broschüre (PDF-Warnung) für die Technologie erklärt weiter: „ULTRARAM ist ein ladungsbasierter Speicher, der Daten speichert, indem er Elektronen in ein sogenanntes ‚Floating Gate‘ hinein oder aus diesem heraus bewegt. Der Ladungszustand des Floating Gates wird nicht gelesen.“ -destruktiv durch Messung der Leitfähigkeit eines darunter liegenden „Kanals“. Die letzte Komponente des Speichers ist die Barriere, die wie ein „Schloss“ wirkt, um Elektronen während der Datenspeicherung im Floating Gate zurückzuhalten. Die Barriere wird entriegelt, um den Ladungsfluss zu ermöglichen der Speicher wird geschrieben oder gelöscht.“
Die Technologie stammt von Quinas Technology, einem Unternehmen, das aus der Lancaster University im Vereinigten Königreich hervorgegangen ist, wo ULTRARAM von Professor Manus Hayne von der Physikabteilung der Universität erfunden wurde. Sein Auftritt auf dem Flash Memory Summit ist seine erste Präsentation und es scheint, als könnte er eine ganz neue Gerätewelt eröffnen.
Im Moment verfügen Sie entweder über DRAM (oder Systemspeicher) und Flash-Speicher. Die beiden haben sehr unterschiedliche Eigenschaften und werden daher für fast völlig unterschiedliche Zwecke verwendet. DRAM ist superschnell, mit um ein Vielfaches höheren Lese- und Schreibgeschwindigkeiten als die schnellste SSD und kann praktisch so oft neu beschrieben werden, wie Sie möchten. Da es sich jedoch um einen flüchtigen Speicher handelt, ist eine konstante Stromversorgung erforderlich, um die Datenspeicherung aufrechtzuerhalten. Sobald der Strom ausfällt, gehen auch alle Informationen verloren, weshalb der Ruhemodus Ihres Laptops immer noch den Akku entlädt.
Bild 1 von 2
Und hier kommt der Flash-Speicher ins Spiel. Er ist viel billiger, viel langsamer, aber er ist beständig und speichert die Daten noch lange, wenn der Strom ausfällt. Allerdings ist die Lebensdauer vergleichsweise gering, da sich die Flash-Chips mit der Zeit und über eine bestimmte Anzahl von Zyklen abnutzen.
ULTRARAM verspricht, beide Funktionen zu erfüllen, mit einer Leistung auf dem Niveau von DRAM und dabei deutlich weniger Energie zu verbrauchen. Und Berichten zufolge werden die Daten 1.000 Jahre lang gespeichert.
Quinas Technology nennt die Anwendung von ULTRARAM als etwas Bedeutendes für Rechenzentren, wo ein großer Teil der benötigten Energie durch den Speicherbedarf verbraucht wird – entweder um Daten im aktiven Speicher am Leben zu halten oder sie zwischen gespeichertem und aktivem Speicher zu verschieben. Theoretisch könnte der Einsatz von ULTRARAM in Ihrem Rechenzentrum den Energiebedarf dieses Sektors erheblich senken.
Es könnte aber auch enorme Auswirkungen auf den Verbraucherbereich haben. Es gäbe keinen Schlafmodus mehr, da Sie die gesamte Momentaufnahme des Systemzustands auch bei ausgeschaltetem Gerät im ULTRARAM behalten und aufgrund der inhärenten Geschwindigkeit im Handumdrehen wieder hochfahren können. Es wäre wie der Ruhezustand von Windows ohne die Nachteile langsamer Startzeiten, und Sie könnten in tausend Jahren zu Ihrem Computer zurückkehren und theoretisch praktisch augenblicklich genau dort weitermachen, wo Sie aufgehört haben.
Ich kann mir vorstellen, dass es für Laptops und Handheld-Gaming-PCs riesig ist.
Bezeichnenderweise handelt es sich bei ULTRARAM nicht um ein Siliziumprodukt. Der notwendige quantenresonante Tunneleffekt findet sich in Verbindungshalbleitern wie Galliumantimonid (GaSb), Indiumarsenid (InAs) und Aluminiumantimonid (AlSb), aus denen das aktuelle ULTRARAM-Design besteht.
Die Technologie steht gerade erst am Anfang und wir wissen nicht, wie hoch die Kosten im Verhältnis zur Flash- oder DRAM-Produktion sind. Die Chancen, vom etablierten Status quo abzuweichen, hängen also von seinem Potenzial für den Massenmarkt ab. Aber es ist auf jeden Fall spannend und könnte einen echten Einfluss auf alle unsere Geräte haben.