Tag: LPDDR5X8500
Micron stellt 1β (1-Beta) DRAM Process Node, LPDDR5X-8500 Speicher vor
Micron hat am Dienstag seine angekündigt 1β (1-be)-Fertigungstechnologie der nächsten Generation für DRAM (öffnet in neuem Tab) (Dynamischer Direktzugriffsspeicher). Der neue Knoten wird es Micron ermöglichen, die Kosten seines DRAM…
Samsung kündigt LPDDR5X-8500 Speicher an
Samsung gab am Dienstag bekannt, dass es seinen LPDDR5X-Speicher mit Betriebsgeschwindigkeiten von 8,5 Gbit/s validiert habe. Samsung geht davon aus, dass der neue DRAM für bandbreitenhungrige Anwendungen jenseits von Smartphones…