SK Hynix genannt Am späten Mittwoch gab das Unternehmen bekannt, dass es mit der Massenproduktion seiner 238-schichtigen „4D“-NAND-Speichergeräte (eigentlich eine Form von 3D) begonnen hat, die Hochleistungs-SSDs mit hoher Kapazität ermöglichen sollen. Die neuen Chips verfügen über eine Datenübertragungsrate von 2400 MT/s und könnten zum Antrieb der nächsten Generation der besten SSDs und Hochgeschwindigkeitsmodelle verwendet werden, die über PCIe 5.0 x4-Schnittstellen verfügen und eine sequentielle Lese-/Schreibgeschwindigkeit von 12 GB/s bieten höher.
Aus der Sicht eines Performance-PC-Enthusiasten ist der Hauptvorteil des 238-Layer-TLC-NAND-IC von SK hynix seine Schnittstellengeschwindigkeit von 2400 MT/s. Dies stellt eine Steigerung von 50 % gegenüber der vorherigen Generation dar und ist erforderlich, um SSDs mit sequenziellen Lese-/Schreibgeschwindigkeiten von 12 GB/s und mehr zu bauen, da 3D-NAND-Geräte mit einer 1600 MT/s-Schnittstelle keine Übertragungsraten ermöglichen können, die eine PCIe-Schnittstelle auslasten Gen5 x4-Schnittstelle.
Das erste 238-Layer-3D-NAND-Gerät von SK hynix ist ein 512 GB (64 GB) 3D-TLC-Gerät, das eine um 34 % höhere Fertigungseffizienz aufweist als ein vergleichbares Gerät, das auf dem 176-Layer-3D-NAND-Knoten des Unternehmens hergestellt wird, sagte das Unternehmen. Unter der Annahme, dass die Ausbeuten des 238L TLC NAND IC hoch sind, werden dadurch die Bitkosten erheblich gesenkt – um bis zu 34 % – und somit die Kostenwettbewerbsfähigkeit des Geräts erhöht. Die neuen Geräte sind nicht nur kleiner als ihre Vorgänger, sondern sollen auch den Stromverbrauch beim Lesen um 21 % senken, was sowohl für mobile PCs als auch für Smartphones von Vorteil ist.
Typisch für SK hynix ist das 238-Lagen-NAND-Gerät mit einem Charge-Trap-Flash-Design (CTF) und dem proprietären PUC-Layout (Peripheral Under Cells) des Unternehmens, eine Funktion, die der Hersteller als „4D“-NAND bezeichnet. Dieses spezielle Layout ermöglicht eine Reduzierung der Größe der Speichergeräte und ermöglicht so eine weitere Kostenreduzierung für das NAND von SK Hynix.
SK hynix plant, den neuen 238-Layer-Speicher zunächst für Smartphones zu nutzen und ihn dann auf das Portfolio anderer Produkte auszuweiten.
„SK hynix hat unter Verwendung der 238-Layer-NAND-Technologie Lösungsprodukte für Smartphones und Client-SSDs entwickelt, die als PC-Speichergeräte verwendet werden, und ist im Mai in die Massenproduktion übergegangen“, heißt es in einer Erklärung des Unternehmens. „Angesichts der Tatsache, dass sich das Unternehmen sowohl beim 238-Layer-NAND als auch beim 176-Layer-NAND der vorherigen Generation eine erstklassige Wettbewerbsfähigkeit in Preis, Leistung und Qualität gesichert hat, gehen wir davon aus, dass diese Produkte in der zweiten Jahreshälfte zu einer Ertragsverbesserung führen werden.“