SK hynix hat es geschafft, den führenden Speicherhersteller Samsung zu schlagen, weil er über den weltweit schnellsten mobilen DRAM LPDDR5T verfügt, der laut Hersteller Betriebsgeschwindigkeiten von 9,6 Gbit/s erreichen kann und damit 13 Prozent schneller ist als der vorherige Standard. Muster dieses DRAM der nächsten Generation wurden MediaTek zu Testzwecken zur Verfügung gestellt, und das südkoreanische Unternehmen setzte sich durch.
Samsung hielt zuvor den Rekord für den weltweit schnellsten mobilen DRAM mit Betriebsgeschwindigkeiten von 8,5 Gbit/s
Die Leistungsüberprüfung des LPDDR5T-RAM ist abgeschlossen und wir haben außerdem erfahren, dass dieser Speicher in einem Flaggschiff-Chipsatz von MediaTek zu finden sein wird. Bisher scheint der Dimensity 9300 der einzige SoC zu sein, über den in der Gerüchteküche gesprochen wurde und der ein zukünftiger Qualcomm Snapdragon 8 Gen 3-Konkurrent sein soll.
JC Hsu, Corporate Senior Vice President und General Manager der Wireless Communications Business Unit bei MediaTek, sagt, dass die aktualisierte Architektur des LPDDR5T in mehreren Anwendungen mehrere Vorteile bieten wird.
„Dank unserer engen Zusammenarbeit mit SK hynix ist MediaTeks Flaggschiff-Chipsatz Dimensity der nächsten Generation der weltweit erste, der für LPDDR5T-Betriebsgeschwindigkeiten von bis zu 9,6 Gbit/s validiert wurde, was es kommenden Geräten ermöglicht, ein beispielloses Maß an mobiler Leistung zu entfesseln. Mit dieser aktualisierten Architektur können Entwickler und Benutzer gleichermaßen mehr aus ihren Geräten herausholen als je zuvor.“
Samsung hatte zuvor den Rekord für die Herstellung des weltweit schnellsten DRAM mit Betriebsgeschwindigkeiten von 8,5 Gbit/s gehalten. Dieser Rekord galt jedoch für den LPDDR5X-Standard, sodass der Fertigungsriese wahrscheinlich versuchen wird, seinen Konkurrenten mit der Produktion einer eigenen Version des LPDDR5T-RAM zu übertrumpfen. So beeindruckend die Gesamtbandbreite des neuen Speicherstandards auch ist, über seine Energieeffizienz gab es keine Gespräche.
Normalerweise ist eines der bemerkenswertesten Merkmale von mobilem DRAM der verbesserte Stromverbrauch im Vergleich zum vorherigen Standard, aber nichts davon wurde hier erwähnt. Früheren Prognosen zufolge wäre das Erreichen von Betriebsgeschwindigkeiten von 9,6 Gbit/s nur mit LPDDR6-Speicher der nächsten Generation möglich gewesen, und dennoch gelang SK hynix das gleiche Kunststück mit LPDDR5T, der Gesamtprozess wurde jedoch nicht beschrieben. Ungeachtet dessen sind wir sicher, dass wir in naher Zukunft aktualisierte Informationen zu den fehlenden Details haben werden.