Laut einem Bericht der China ist China bestrebt, einen eigenen Hochbandbreitenspeicher (HBM-ähnlich) für künstliche Intelligenz und Hochleistungsrechneranwendungen zu entwickeln Süd China morgen Post. Berichten zufolge steht ChangXin Memory Technologies (CXMT) an der Spitze dieser Initiative.
HBM ist unangefochtener Spitzenreiter, wenn es um Leistung geht, da jeder HBM-Stack über eine 1024-Bit-Speicherschnittstelle und eine ordentliche Datenübertragungsrate verfügt. Aufgrund der breiten Schnittstelle und der vertikalen Stapelung ist für die Herstellung von HBM-Geräten nicht die fortschrittlichste Lithographie erforderlich. Man geht sogar davon aus, dass weltweit führende DRAM-Unternehmen bewährte Technologien für ihre HBM2E- und HBM3-Speichergeräte verwenden.
Was HBM jedoch benötigt, sind ausgefeilte Verpackungstechnologien – da die vertikale Verbindung von acht oder zwölf Speichergeräten mithilfe winziger Through Silicon Vias (TSVs) ein komplizierter Vorgang ist. Dennoch ist die Montage eines HBM-ähnlichen KGSD-Moduls (Known-Good Stacked Die) einfacher als die Herstellung eines DRAM-Bausteins mit einer Prozesstechnologie der 10-nm-Klasse.
Trotz der durch Sanktionen auferlegten technologischen Einschränkungen vermuten von SCMP befragte Brancheninsider, dass CXMT immer noch seinen eigenen HBM-ähnlichen Speicher produzieren könnte. Es bleibt jedoch abzuwarten, wie breit die chinesische „HBM“-Schnittstelle sein wird und wie viele DRAM-Geräte pro Modul gestapelt werden können.
CXMT ist Chinas führender inländischer Hersteller von DRAM, sowohl hinsichtlich der technologischen Leistungsfähigkeit als auch hinsichtlich der Fertigungskapazitäten, und ist daher Chinas beste Wahl für die Entwicklung eines proprietären Speichertyps, der in Bezug auf Bandbreite und Kapazität mit dem Industriestandard HBM konkurrieren soll. Aufgrund der US-Sanktionen sind CXMT und andere chinesische Chiphersteller gezwungen, weniger fortschrittliche Technologien für die Produktion zu verwenden, was ihnen weltweit einen Wettbewerbsnachteil verschafft.
KI- und GPC-Prozessoren sind für verschiedene Anwendungen, darunter autonome Fahrzeuge, künstliche Intelligenz und Hochleistungsrechnen, unerlässlich. Daher ist es verständlich, warum China einen eigenen HBM-ähnlichen Speicher aufbauen möchte. Derzeit können Unternehmen wie Biren HBM2E-Speicher von führenden DRAM-Anbietern beziehen, aber wenn die US-Regierung den Zugriff auf diesen Speichertyp einschränkt, bleibt China nur die Möglichkeit, auf seine eigenen Technologien zu setzen. Daher ist die Entwicklung von HBM-ähnlichen Speichern Teil einer größeren nationalen Agenda zur Unabhängigkeit in der Halbleitertechnologie.