SK Hynix hat kürzlich Details zu seinem 3D-NAND-Speichergerät der 8. Generation mit über 300 aktiven Schichten veröffentlicht. Die neuen 3D-NAND-Geräte des Unternehmens werden es ihm ermöglichen, die Leistung von SSDs zu steigern und ihre Kosten pro TB zu senken, wenn sie irgendwann im Zeitraum 2024 bis 2025 eintreffen.
Das erste 3D-NAND-Gerät der 8. Generation von SK Hynix mit mehr als 300 Schichten wird mit einer Kapazität von 1 TB (128 GB) mit Zellen auf drei Ebenen und einer Bitdichte von über 20 Gb/mm^2 geliefert. Darüber hinaus verfügt der Chip über eine Seitengröße von 16 KB, vier Ebenen, eine Schnittstelle mit 2400 MT/s und einen maximalen Durchsatz von 194 MB/s (18 % höher als 238-Layer-3D-NAND der 7. Generation). Die Hochgeschwindigkeits-E/A und der erhöhte Durchsatz sind besonders nützlich für die besten SSDs mit PCIe 5.0 x4 oder einer fortschrittlicheren Schnittstelle.
Die nahezu Verdoppelung der Bitdichte des neuen NAND wird die Pro-Wafer-Produktivität des neuen Fertigungsknotens erheblich steigern, was die Kosten von SK Hynix senken wird, obwohl unklar ist, wie stark.
Um das Design zu verbessern, musste SK Hynix fünf neue Schemata implementieren:
- Triple-Verify Program (TPGM)-Funktion, die die Zellschwellenspannungsverteilung eingrenzt und die tPROG (Programmierzeit) um 10 % reduziert, was zu einer höheren Leistung führt;
- Adaptives nicht ausgewähltes String Pre-Charge (AUSP) – ein weiteres Verfahren zur Reduzierung von tPROG um etwa 2 %;
- All-Pass Rising (APR)-Schema, das die tR (Lesezeit) um ungefähr 2 % reduziert und die Anstiegszeit der Wortleitung verkürzt;
- Programmierte Dummy-String (PDS)-Technik, die die Weltleitungs-Einschwingzeit für tPROG und tR verkürzt, indem die Kanalkapazitätslast reduziert wird;
- Plane-Level Read Retry (PLRR)-Fähigkeit, die es ermöglicht, die Leseebene einer Ebene zu ändern, ohne andere zu beenden, wodurch nachfolgende Lesebefehle sofort ausgegeben und die Dienstqualität (QoS) und damit die Leseleistung verbessert werden.
SK Hynix gab nicht bekannt, wann es plant, mit der Produktion seiner 3D-NAND-Geräte der 8. Generation zu beginnen. Da das Unternehmen jedoch Details zu dieser Technologie offengelegt hat, sieht es so aus, als ob ihre Entwicklung abgeschlossen ist oder kurz vor dem Abschluss steht. Da alle Hersteller von Flash-Speichern dazu neigen, die Einführung neuerer Fertigungsknoten zu verlangsamen, um die NAND-Bitausgabe zu begrenzen, ist es unwahrscheinlich, dass SK Hynix die 8. Generation von 3D-NAND voreilig in Produktion bringen wird. Daher ist es vernünftig, davon auszugehen, dass der neue Speicher im Jahr 2024 eingeführt wird.